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一种半导体基板之品质评价方法，系含有：对半导体基板表面进行蚀刻的步骤；以及藉由异物检查装置将前述蚀刻后的基板表面中的亮点予以检测的步骤；其中，前述蚀刻系藉由乾蚀刻而进行；且根据前述所检测出的亮点之数量及/或分布图案而评价前述半导体基板的品质。如申请专利范围第1项之半导体基板的品质评价方法，其中，前述所评价的品质系指金属污染之有无及/或其程度。如申请专利范围第1项或第2项的半导体基板的品质评价方法，复包含有藉由进行前述所检测出的亮点之元素分析而将包含于基板的污染金属之种类予以特定的步骤。如申请专利范围第3项的半导体基板的品质评价方法，其中，前述元素分析系使用扫描型电子显微镜或穿透型电子显微镜与能量分散型X线分光分析而进行。一种半导体基板之品质评价方法，系含有：对半导体基板表面进行蚀刻的步骤；以及藉由异物检查装置将前述蚀刻后的基板表面中的亮点予以检测的步骤；其中，前述蚀刻系藉由乾蚀刻而进行；前述所评价的品质系指包含于基板的污染金属之种类；藉由进行前述所检测出的亮点之元素分析而将前述污染金属之种类予以特定。如申请专利范围第5项之半导体基板的品质评价方法，其中，前述元素分析系使用扫描型电子显微镜或穿透型电子显微镜与能量分散型X线分光分析而进行。如申请专利范围第1、2、5或6项的半导体基板的品质评价方法，其中，前述乾蚀刻系于已施行热处理的半导体基板表面进行。如申请专利范围第7项之半导体基板的品质评价方法，其中，前述热处理系于100至1200℃之范围的温度进行。如申请专利范围第1、2、5或6项的半导体基板的品质评价方法，其中，系于前述半导体基板表面形成氧化膜，且将该氧化膜剥离后再进行前述乾蚀刻。如申请专利范围第1、2、5或6项的半导体基板的品质评价方法，其中，前述半导体基板系为于表面施有镜面加工的矽晶圆。一种半导体基板的制造方法，系包含有：准备由复数个半导体基板构成的半导体基板之批量的步骤；从前述批量中至少抽出1个半导体基板的步骤；对前述所抽出的半导体基板之品质进行评价的步骤；将由前述品质评价判定为良品的半导体基板与同一批量内之其他半导体基板作为制品基板而予以出货的步骤；其中，前述所抽出的半导体基板之品质评价，系采用如申请专利范围第1项至第10项中任一项的半导体基板之品质评价方法而进行者。 |
