CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS MOS COUPLES ELECTROSTATIQUEMENT ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TEL CIRCUIT INTEGRE

摘要

Circuit intégré (100) comportant au moins un premier transistor (101a) de type MOS sur lequel est disposé au moins un second transistor (101b) de type MOS dont une région de canal (109b) est formée dans au moins une couche (104b) à base de semi-conducteur comportant deux faces principales (106b, 108b) sensiblement parallèles, et comportant au moins une portion (117) d'au moins un matériau électriquement conducteur reliée électriquement à une grille (113a) du premier transistor et disposée entre la grille du premier transistor et la région de canal du second transistor, la section de la région de canal du second transistor dans un plan parallèle aux deux faces principales de la couche à base de semi-conducteur étant incluse dans la section de la portion du matériau électriquement conducteur projetée dans ledit plan.