| 摘要 |
МДП-варикап, содержащий полупроводник, диэлектрик, управляющий электрод и узел стока неосновных носителей с p-n-переходом, отличающийся тем, что часть полупроводника, в котором расположен p-n-переход, выполнена в виде резистивного шлейфа, имеющего толщину меньше ширины области пространственного заряда в полупроводнике. |
