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发明名称
Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einer erhöhten Schwellwertstabilität ohne Durchlass-Strombeeinträchtigung und Transistor
摘要
申请公布号
DE102006009226(B9)
申请公布日期
2011.03.10
申请号
DE200610009226
申请日期
2006.02.28
申请人
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
发明人
WEI, ANDY;KAMMLER, THORSTEN;HOENTSCHEL, JAN;HORSTMANN, MANFRED
分类号
H01L21/336;H01L29/78
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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