| 发明名称 | 具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开一种在半导体基板(12)上制造的半导体器件。第一绝缘层(18)被形成于半导体基板上以用作半导体基板(12)的第一区域(14)内的高压晶体管(38)的栅极电介质。在第一绝缘层(18)形成之后，第二绝缘层(24)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第二区域(22)内的非易失性存储器晶体管(40)的栅极电介质。在第二绝缘层(24)形成之后，第三绝缘层(36)被形成于半导体基板(12)上以用作基板(12)的第三区域(34)内的逻辑晶体管(44)的栅极电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN101569006B | 申请公布日期 | 2011.03.09 |
| 申请号 | CN200880001261.8 | 申请日期 | 2008.01.10 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | R·A·劳;R·穆拉利德哈 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种在半导体基板上制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成第一氧化物层以用作半导体基板的第一区域中的高压晶体管的栅极电介质；对所述第一氧化物层进行脱耦等离子体氮化以在所述第一氧化物层的顶表面上形成富氮氧化物层，其中富氮氧化物层具有不超过10原子百分比的氮浓度；在所述基板的一部分中形成第一阱区；去除所述第一阱上方的第一氧化物层和富氮氧化物层的一部分；在所述阱上形成第一绝缘层以用作在所述阱中和所述阱上方的非易失性存储器晶体管的栅极电介质；在所述富氮氧化物层上方和所述第一绝缘层上方形成包含纳米晶的电荷存储层；以及使用在所述包含纳米晶的电荷存储层和所述富氮氧化物层之间具有选择性的蚀刻剂来去除在所述富氮氧化物层上方的所述包含纳米晶的电荷存储层，使得所述富氮氧化物层充当蚀刻终止层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||