发明名称 Phase change Random Access Memory Device and Method of Manufacturing the Same
摘要
申请公布号 KR101019989(B1) 申请公布日期 2011.03.09
申请号 KR20080103287 申请日期 2008.10.21
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
地址