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发明名称
Phase change Random Access Memory Device and Method of Manufacturing the Same
摘要
申请公布号
KR101019989(B1)
申请公布日期
2011.03.09
申请号
KR20080103287
申请日期
2008.10.21
申请人
发明人
分类号
H01L27/115;H01L21/8247
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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