发明名称 一种高亮度发光二极管晶粒
摘要 本实用新型涉及半导体制备技术领域,提供一种具有新型结构的高亮度发光二极管晶粒,包括N面电极层、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层,其所述N型掺杂层的表面设有氧化层。本实用新型利用化学方法在N型掺杂层的表面形成一层氧化层,由于氧化层表面粗糙,因此减少了全内反射的光,增加了发光区的面积,从而提升出光效率,提高发光二极管的发光亮度。
申请公布号 CN201758135U 申请公布日期 2011.03.09
申请号 CN201020281757.X 申请日期 2010.08.03
申请人 元茂光电科技(武汉)有限公司 发明人 胡泰祥
分类号 H01L33/10(2010.01)I 主分类号 H01L33/10(2010.01)I
代理机构 武汉天力专利事务所 42208 代理人 吴晓颖;冯卫平
主权项 一种高亮度发光二极管晶粒,包括N面电极层、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层,其特征在于:在N型掺杂层的表面设有氧化层。
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路17号