| 发明名称 | 一种高亮度发光二极管晶粒 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体制备技术领域，提供一种具有新型结构的高亮度发光二极管晶粒，包括N面电极、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层，其所述N型掺杂层的边缘设有内圆倒角。本实用新型利用化学方法在N型掺杂层的边缘形成内圆倒角，增加发光区的面积，从而提高发光二极管的发光亮度。 | ||
| 申请公布号 | CN201758136U | 申请公布日期 | 2011.03.09 |
| 申请号 | CN201020273653.4 | 申请日期 | 2010.07.23 |
| 申请人 | 元茂光电科技(武汉)有限公司 | 发明人 | 胡泰祥 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人 | 吴晓颖;冯卫平 |
| 主权项 | 一种高亮度发光二极管晶粒，包括N面电极、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层，其特征在于：N型掺杂层的边缘设有内圆倒角。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路17号 | ||