| 发明名称 | 二次光刻制备薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101984506A | 申请公布日期 | 2011.03.09 |
| 申请号 | CN201010504099.0 | 申请日期 | 2010.10.12 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;康晋锋;刘晓彦;韩汝琦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其步骤包括：1）在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；2）生长一层栅绝缘介质层；3）进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；4）生长一层导电薄膜材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||