发明名称 |
低噪声放大器电路 |
摘要 |
一种低噪声放大器电路,用以将一单端输入信号转换为一双端输出信号且包括输入转导级电路及电流缓冲级电路。输入转导级电路包括第一及第二晶体管。电流缓冲级电路包括第三及第四晶体管。输入转导级电路及电流缓冲级电路串联。单端输入信号位于第一晶体管的源极。双端输出信号为一差动输出信号,跨越于第三及第四晶体管的漏极之间。第一电容耦接于第一晶体管的栅极与该第二晶体管的源极之间,且第二电容,耦接于该第二晶体管的栅极与该第一晶体管的源极之间。第三电容耦接于第三晶体管的栅极与第四晶体管的源极之间,且第四电容耦接于第四晶体管的栅极与第三晶体管的源极之间。 |
申请公布号 |
CN101420204B |
申请公布日期 |
2011.03.09 |
申请号 |
CN200810149988.2 |
申请日期 |
2008.10.24 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
郭明清;高小文;陈志宏 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H03F3/16(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
蒲迈文 |
主权项 |
一种低噪声放大器电路,用以将一单端输入信号转换为一双端输出信号,包括:一输入转导级电路,包括一第一金属氧化物半导体晶体管及一第二金属氧化物半导体晶体管;以及一电流缓冲级电路,包括一第三金属氧化物半导体晶体管及一第四金属氧化物半导体晶体管;其中,该输入转导级电路及该电流缓冲级电路串联耦接,以形成一堆栈放大器架构;其中,该输入转导级电路中所述第一及第二金属氧化物半导体晶体管交错耦接,该第一金属氧化物半导体晶体管的本体耦接该第二金属氧化物半导体晶体管的源极,且该第二金属氧化物半导体晶体管的本体耦接该第一金属氧化物半导体晶体管的源极,一第一电容,耦接于该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第二金属氧化物半导体晶体管的源极之间,且一第二电容,耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第一金属氧化物半导体晶体管的源极之间;其中,该电流缓冲级电路中所述第三及第四金属氧化物半导体晶体管交错耦接,一第三电容耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第四金属氧化物半导体晶体管的源极之间,且一第四电容耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第三金属氧化物半导体晶体管的源极之间;其中,该单端输入信号位于该第一晶体管的源极;以及其中,该双端输出信号为一差动输出信号,跨越于该电流缓冲级电路的该第三金属氧化物半导体晶体管的漏极与该第四金属氧化物半导体晶体管的漏极之间。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |