发明名称 有机EL显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种有机EL显示装置及其制造方法。在形成于电路板(101)上的电路形成部(102)之上形成有有机EL元件部(1000)。有机EL元件部(1000)由包含SiNxOy膜的保护层(113)覆盖。SiNxOy的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm-1更低能量一侧存在,在约870cm-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上;具有如下的红外吸收特性,即在2000~4000cm-1区域的吸收峰值的强度是Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5%以下。据此,能取得具有优异的水分阻止特性的保护膜,能提高有机EL显示装置的寿命特性。
申请公布号 CN101431147B 申请公布日期 2011.03.09
申请号 CN200810172859.5 申请日期 2008.11.05
申请人 株式会社日立显示器 发明人 松崎永二;石井良典;加濑悟
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种有机EL显示装置,通过具有SiNxOy膜的保护层覆盖着有机EL元件,该有机EL元件是在形成有电路的第一衬底上依次层叠第一电极、包含发光层的有机层以及第二电极而形成的,该有机EL显示装置的特征在于:所述SiNxOy膜与所述第二电极接触;所述SiNxOy膜的Si‑O‑Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm‑1更低能量一侧存在,在约870cm‑1附近存在的Si‑N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是所述Si‑O‑Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上;所述SiNxOy膜具有在2000~4000cm‑1区域的吸收峰值的强度为所述Si‑N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5%以下的红外吸收特性。
地址 日本千叶县