NITRIDE BASED HETERO-JUNCTION FEILD EFFECT TRANSISTOR,申请号KR20080110295-传众专利搜索

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发明名称	NITRIDE BASED HETERO-JUNCTION FEILD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	KR101018239(B1)	申请公布日期	2011.03.03
申请号	KR20080110295	申请日期	2008.11.07
申请人		发明人
分类号	H01L29/78;H01L21/336	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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