| 摘要 |
Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1) angegeben, mit - einem n-seitigen Wellenleiterbereich (21) und einem p-seitigen Wellenleiterbereich (22); - einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung; - zumindest einer Reflektionsschicht (24) im n-seitigen Wellenleiterbereich (21), wobei - die aktive Zone (20) zwischen den beiden Wellenleiterbereichen (21, 22) angeordnet ist, - die Dicke des n-seitigen Wellenleiterbereichs (21) größer als die des p-seitigen Wellenleiterbereichs (22) ist, - der Brechungsindex der Reflektionsschicht (24) kleiner ist, als der Brechungsindex des an die Reflektionsschicht (24) angrenzenden n-seitigen Wellenleiterbereichs (21).
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