| 摘要 |
<p>Ein Halbleiterkörper umfasst einen ersten Anschluss (VDD) zur Zuführung eines oberen Versorgungspotentials und eine erste und eine zweite Anschlusszelle (IO1, IO2), die beabstandet zueinander aufgebaut sind. Weiter weist der Halbleiterkörper eine Ableitstruktur (PCL) auf, die zwischen der ersten und der zweiten Anschlusszelle (IO1, IO2) in einem p-dotierten Substrat (PSUB) aufgebaut ist. Die Ableitstruktur (PCL) umfasst eine erste und eine zweite p-Kanal-Feldeffekttransistorstruktur (PMOS3, PMOS4), die in jeweiligen n-dotierten Wannen (NW61, NW62) im Wesentlichen parallel zur ersten und zweiten Anschlusszelle (IO1, IO2) aufgebaut sind, und eine Diodenstruktur (TRG), die mit einem p-dotierten Bereich in einer weiteren n-dotierten Wanne (NW63) zwischen den n-dotierten Wannen(NW61, NW62) der ersten und der zweiten p-Kanal-Feldeffekttransistorstruktur (PMOS3, PMOS4) aufgebaut ist. Dabei ist die Diodenstruktur (TRG) eingerichtet, bei einer elektrostatischen Entladung im Halbleiterkörper die erste und die zweite p-Kanal-Feldeffekttransistorstruktur (PMOS3, PMOS4) als Ableitelemente aufzusteuern.</p> |
