EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

摘要

Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1) angegeben, mit einem n-seitigen Wellenleiterbereich (21) und einem p- seitigen Wellenleiterbereich (22); einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung; zumindest einer Reflektionsschicht (24) im n-seitigen Weilerleiterbereich (21), wobei die aktive Zone (20) zwischen den beiden Wellenleiterbereichen (21, 22) angeordnet ist, die Dicke des n-seitigen Wellenleiterbereichs (21) größer als die des p-seitigen Wellenleiterbereichs (22) ist, der Brechungsindex der Reflektionsschicht (24) kleiner ist, als der Brechungsindex des an die Reflektionsschicht (24) angrenzenden n-seitigen Wellenleiterbereichs (21).