Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit Technik zum lokalen Anpassen von Transistoreigenschaften durch Verwenden fortschrittlicher Laser/Blitzlichtausheizverfahren geeignet auch für die Herstellung von Transistorelementen von SRAM-Zellen,申请号DE200610046376-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit Technik zum lokalen Anpassen von Transistoreigenschaften durch Verwenden fortschrittlicher Laser/Blitzlichtausheizverfahren geeignet auch für die Herstellung von Transistorelementen von SRAM-Zellen
摘要
申请公布号	DE102006046376(B4)	申请公布日期	2011.03.03
申请号	DE200610046376	申请日期	2006.09.29
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.	发明人	PRESS, PATRICK;ROMERO, KARLA;TRENTZSCH, MARTIN;WIECZOREK, KARSTEN;FEUDEL, THOMAS;LENSKI, MARKUS;STEPHAN, ROLF
分类号	H01L21/336;H01L21/268;H01L21/8244	主分类号	H01L21/336
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