一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。

主权项

一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构，其特征在于：由下而上依次为InP衬底、与衬底晶格失配的赝衬底以及相对赝衬底应变补偿的量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层。