| 发明名称 | 绝缘体上硅的波导光栅耦合器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN101982796A | 申请公布日期 | 2011.03.02 |
| 申请号 | CN201010283556.8 | 申请日期 | 2010.09.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 周亮;李智勇;俞育德;余金中 |
| 分类号 | G02B6/34(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||