半导体元件及采用该半导体元件的装置

摘要

本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。

主权项

一种半导体元件，其具备：半导体层，其设于绝缘衬底上；第一扩散层区域及第二扩散层区域，其设于所述半导体层内，为P型导电类型；电荷蓄积膜，其至少覆盖第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域，可自该沟道区域注入电荷；栅极电极，其隔着所述电荷蓄积膜位于与所述沟道区域相反的一侧，所述绝缘衬底的热传导率为0.1W/m·K～9W/m·K，设于所述绝缘衬底上的半导体层的至少所述沟道区域的上表面为平坦，注入到所述电荷蓄积膜的电荷为：在电流从第一扩散层区域通过上述沟道区域流向第二扩散区域时，受到由所述电流在沟道区域产生的热辅助，均匀地被注入到所述电荷蓄积膜中的电荷。