发明名称 |
纯水制造方法及纯水制造装置 |
摘要 |
本发明提供一种在用二次纯水制造装置及三次纯水制造装置对一次纯水进行精制而制造纯水时,极力抑制过氧化氢的生成,制造将TOC、DO、过氧化氢浓度减少至极限的高纯度超纯水。超纯水制造系统在二次纯水制造装置及三次纯水制造装置上分别具有紫外线氧化部件及位于其后段的利用离子交换树脂的去离子部件。进行UV调光使得二次纯水制造装置的紫外线氧化装置出口的过氧化氢浓度为1~30μg/L、TOC浓度为1~10μg/L,且使三次纯水制造装置的紫外线氧化装置出口的TOC浓度为0.1~5μg/L。进行UV调光使得二次纯水制造装置的紫外线氧化装置出口的TOC浓度为1~10μg/L,且使三次纯水制造装置的紫外线氧化装置出口的过氧化氢浓度为1~20μg/L、TOC浓度为0.1~5μg/L。 |
申请公布号 |
CN101983175A |
申请公布日期 |
2011.03.02 |
申请号 |
CN200980111862.9 |
申请日期 |
2009.03.13 |
申请人 |
栗田工业株式会社 |
发明人 |
小林秀树 |
分类号 |
C02F1/32(2006.01)I;B01D19/00(2006.01)I;B01J31/08(2006.01)I;C02F1/20(2006.01)I;C02F1/42(2006.01)I;C02F1/58(2006.01)I |
主分类号 |
C02F1/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
熊玉兰;高旭轶 |
主权项 |
一种纯水制造方法,其包含以下工序:通过对有机物浓度5~50μg/L的一次纯水照射紫外线将水中的有机物氧化分解的第1紫外线氧化工序,通过使第1紫外线氧化工序的处理水接触离子交换树脂而进行去离子,制造二次纯水的第1去离子工序,通过对经过第1去离子工序的二次纯水照射紫外线将水中的有机物氧化分解的第2紫外线氧化工序,和通过使第2紫外线氧化工序的处理水接触离子交换树脂而进行去离子,制造三次纯水的第2去离子工序;其特征在于:在第1紫外线氧化工序中,以该第1紫外线氧化工序的处理水的有机物浓度成为1~10μg/L的照射强度照射紫外线,同时在第2紫外线氧化工序中,以该第2紫外线氧化工序的处理水的有机物浓度成为0.1~5μg/L的照射强度照射紫外线。 |
地址 |
日本东京都 |