制造存储单元组合的方法与存储单元组合

摘要

本发明有关一种用来制造存储单元组合的方法与存储单元组合，特别是用来制造自动对准式柱状存储单元装置的方法。该用来制造存储单元组合的方法，包含：在基板上形成一存储单元存取层以制造具有底电极的存取装置。在存储单元存取层上形成存储材料层，并与底电极电性接触。在存储材料层上形成第一电性导电层。在第一电性导电层上形成第一掩膜并在第一方向上延伸，及接着剪裁并移除未被第一掩膜覆盖的第一电性导电层和存储材料层的部位。本发明藉由减低存储体中相变化材料元件尺寸及减少电极与相变化材料接触面积，可对相变化材料元件施加较小绝对电流值便可达成较高电流密度。另使存储单元结构具有微小可程序化电阻材料主动区域，使用可靠且可重复以制程技术制造。

主权项

一种制造一存储单元组合的方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基板上形成一存储单元存取层，以产生包含一底电极的一存取装置；形成一第一存储次组合，而其在一第一方向延伸于该存储单元存取层上，以及包含一第一电性导电材料和一存储材料，而该存储材料与该底电极电性接触，该第一存储次组合在该存储单元存取层上具有一第一高度；在该存储单元存取层上形成一第一填充层，以产生一第二存储次组合，该第一填充层在该存储单元存取层上具有一第二高度，而该第一高度及第二高度相等；以及在该第二存储次组合上形成一顶电极，该顶电极在一第二方向延伸并与该第一方向相交，以及与该第一电性导电材料电性接触；其中所述的形成该第一存储次组合的步骤包含以下步骤：在该存储单元存取层上形成一存储材料层，而该存储材料层是与该底电极电性接触；在该存储材料层上形成一第一电性导电层；在该第一电性导电层上形成第一掩膜，而该第一掩膜在该第一方向上延伸；在沿着该第一掩膜的至少一第一部位上裁剪该第一掩膜；及移除未被该第一掩膜所覆盖的该第一电性导电层以及该存储材料层；其中所述的形成该顶电极的步骤包含以下步骤：在该第二存储次组合上沉积一顶电极材料层，该顶电极材料层是与该第一电性导电层电性接触；在该顶电极材料层上形成一第二掩膜，而该第二掩膜在该第二方向上延伸；在沿着该第二掩膜的至少一第二部位上裁剪该第二掩膜，而该第二部位覆盖该第一部位；及移除未被该第二掩膜所覆盖的该顶电极材料层的一部位。