发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的特征在于:对隔着热硬化型粘接膜(2)暂时固定在电路基板(1)上的半导体芯片(3)配置具有剥离膜(4)和在其上层叠的层厚为该半导体芯片(3)厚度的0.5~2倍的热硬化型密封树脂层(5)的密封树脂膜(6),使得该热硬化型密封树脂层(5)面向半导体芯片(3),一边从剥离膜(4)侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头(7)进行按压,一边从电路基板(1)侧进行加热,由此,将半导体芯片(3)粘接固定在电路基板(1)上,同时,将半导体芯片(3)树脂密封后,将剥离膜(4)剥离。
申请公布号 CN101983419A 申请公布日期 2011.03.02
申请号 CN200880128463.9 申请日期 2008.10.30
申请人 索尼化学&信息部件株式会社 发明人 须贺保博;滨崎和典
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 一种电路基板上的半导体芯片被树脂密封的半导体装置的制造方法,其特征在于,隔着热硬化型粘接膜将半导体芯片暂时固定在电路基板上,对暂时固定的半导体芯片配置具有剥离膜和在其上层叠的层厚为该半导体芯片厚度的0.3~2倍的热硬化型密封树脂层的密封树脂膜,使得该热硬化型密封树脂层面向半导体芯片侧,一边从剥离膜侧用橡胶硬度为5~100的橡胶压头进行加压,一边从电路基板侧进行加热,由此,将半导体芯片粘接固定在电路基板上,同时,对半导体芯片进行树脂密封,将表面的剥离膜剥离。
地址 日本东京都