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发明名称
METHOD FOR GROWING Si-Ge SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES ON SUBSTRATES
摘要
A method is provided for growing Si-Ge materials on Si(100) with Ge-rich contents (Ge>50 at.%) and precise stoichiometries SiGe, SiGe<sub
申请公布号
EP1807556(A4)
申请公布日期
2011.03.02
申请号
EP20050746524
申请日期
2005.04.08
申请人
ARIZONA BOARD OF REGENTS, ACTING FOR AND ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY
发明人
KOUVETAKIS, JOHN;TSONG, IGNATIUS, S., T.;HU, CHANGWU;TOLLE, JOHN
分类号
H01L21/20;H01L29/161;H01L29/20;H01L29/22
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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