集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法

摘要

本发明是对集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT改进，其特征是ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同，各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置，如果为栅插指结构，将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开，形成不连通的左右L型，其中多晶二极管的各P型区和各N型区，分别由功率MOSFET或IGBT的P阱和N+源注入和扩散形成。所得ESD保护的功率MOSFET或IGBT，栅极与源极间漏电小，制备时栅、源极间击穿电压可调，ESD泄放能力高、可靠性好，制造简单。

主权项

集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT，包括跨接在功率MOSFET或IGBT栅、源极间的ESD保护单元，其特征在于ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同，各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置，如果为栅插指结构，将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开，形成不连通的左右L型。