| 主权项 |
一种前置清除腔，包括：一支撑单元，用于支撑一基板；一圆顶单元，用于大体覆盖该支撑单元，其中该圆顶单元之内侧表面之一顶部中央区与一底部环状区系经过陶瓷喷砂处理，而介于该顶部中央区与该底部环状区间之该圆顶单元之内侧表面则并未经过陶瓷喷砂处理；一第一射频单元，连结于该支撑单元；以及一第二射频单元，连结于该圆顶单元。如申请专利范围第1项所述之前置清除腔，其中经过陶瓷喷砂处理之该圆顶单元之顶部中央区为距该圆顶单元之一中心处10-18公分之一区域。如申请专利范围第1项所述之前置清除腔，其中中经过陶瓷喷砂处理之该圆顶单元之该底部环状区系为一带状区域，该带状区域系为自该圆顶单元之一底面朝向该圆顶单元之中心延伸3~8公分。如申请专利范围第1项所述之前置清除腔，其中该圆顶单元包括石英，而该圆顶单元系部份经过氧化铝、氧化钙、氧化镁、氧化钛、氧化锆或铁氟龙等材料之陶瓷喷砂处理处理过。如申请专利范围第1项所述之前置清除腔，该支撑单元更包括：一基座，用于支撑一基板；一支撑元件，用于支撑该基座；以及一覆环，沿该支撑元件之一周长设置。如申请专利范围第5项所述之前置清除腔，其中该覆环包括石英，而该覆环之一顶面系经过陶瓷喷砂处理。如申请专利范围第5项所述之前置清除腔，其中该支撑单元包括铝，而该支撑元件之一外部侧壁系经过陶瓷喷砂处理。如申请专利范围第5项所述之前置清除腔，更包括：一第一挡板，用于支撑该支撑单元；以及一第二挡板，连结于该圆顶单元，于与该第一挡板结合后大体定义出一制程空间。如申请专利范围第8项所述之前置清除腔，其中该第一与第二挡板大体涂布有一陶瓷膜层，以减低其表面粗糙度至低于45微米之一程度。如申请专利范围第9项所述之前置清除腔，其中该陶瓷膜层具有5~30微米之一厚度。一种半导体制造设备，包括：一预先洁净装置，包括：一真空腔，用于储存一基板或一基板载具；如申请专利范围第1项之前置清除腔；以及一第一自动控制单元，用于传输一基板于该真空腔与该前置清除腔之间；以及；一制程装置，包括：一制程腔，用于施行一薄膜沉积程序；以及一第二自动控制单元，用于传输该基板于该制程腔体与该前置清除腔之间。如申请专利范围第11项所述之半导体制造设备，其中该制程腔为一物理气相沉积腔或一化学气相沉积腔。如申请专利范围第11项所述之半导体制造设备，更包括一暂存装置，设置于该制程装置与该预先洁净装置之间，其中该第一自动控制单元自该预先洁净装置处传输该基板至该暂存装置处，而该第二自动控制单元自该储存单元处传输该基板至该制程腔处。如申请专利范围第13项所述之半导体制造设备，其中该第二自动控制单元自该预先洁净装置处传输该基板至该暂存装置处，而该第一控制装置自该暂存装置处传输该基板至该真空腔处。 |
