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一种具有焊料凸块的半导体晶片，其至少包含：至少一金属黏着层，系形成于该半导体晶片的一电极垫上；一层间分隔层，系形成于该金属黏着层上；至少一穿透层，系形成于该层间分隔层上且渗入该焊料凸块中，以将该焊料凸块改变成一多成分之焊料凸块，从而抑制一介金属化合物的成长；以及该焊料凸块，系形成于该穿透层上，其中该层间分隔层系适于结合该至少一金属黏着层与该至少一穿透层，并结构上地分隔该至少一金属黏着层与该该至少一穿透层及该焊料凸块，且其中该穿透层藉控制该穿透层的厚度或体积比来形成，且其量为焊料凸块重量的0.1至10%间。如申请专利范围第1项所述之半导体晶片，其中在该些金属黏着层中，一第一金属黏着层系由钛、钛合金、铝、铝合金、镍、镍合金、铜、铜合金、铬、铬合金、金、与金合金之至少一者来形成。如申请专利范围第1项所述之半导体晶片，其中在该些金属黏着层中，一第二金属黏着层系有需要时由镍、镍合金、铜、铜合金、钯、与钯合金之至少一者来形成。如申请专利范围第1项所述之半导体晶片，其中该层间分隔层系由镍、镍合金、钯、与钯合金之一者来形成。如申请专利范围第1项所述之半导体晶片，其中该穿透层系由铜、铜合金、锑、锑合金、铟、铟合金、锡、锡合金、铋、铋合金、铂、铂合金、金与金合金之至少一者来形成。如申请专利范围第1项所述之半导体晶片，其中该焊料凸块系由下列之一者所组成：金、一无铅焊料(其系选自锡、锡/银、锡/铜、锡/锌、锡/锌/铋、锡/银/铜与锡/银/铋之一)、以及一铅焊料(其系选自高铅焊料与共晶铅焊料之一者)。一种制造具有一焊料凸块的一半导体晶片的方法，该方法包含如下步骤：形成至少一金属黏着层于该半导体晶片的一电极垫上；形成一层间分隔层于该金属黏着层上；形成至少一穿透层于该层间分隔层上，以于当形成该焊料凸块时，可使该穿透层渗入该焊料凸块中并将该焊料凸块改变成一多成分之焊料凸块，从而抑制一介金属化合物的成长；以及形成该焊料凸块于该穿透层上，其中该层间分隔层系适于结合该至少一金属黏着层与该至少一穿透层，并结构上地分隔该至少一金属黏着层与该该至少一穿透层及该焊料凸块，且其中该穿透层藉控制该穿透层的厚度或体积比来形成，且其量为焊料凸块重量的0.1至10%间。如申请专利范围第7项所述之方法，更包含步骤：在形成该金属黏着层后，形成光阻图样于该金属黏着层上表面的相对端，其中该层间分隔层系形成于该金属黏着层上的该光阻图样之间。如申请专利范围第7或第8项所述之方法，其中该形成层间分隔层之步骤系藉溅镀制程或电镀制程施行。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该形成穿透层之步骤系藉溅镀制程或电镀制程施行。如申请专利范围第7项所述之方法，其更包含如下步骤：重流该焊料凸块。 |
