发明名称 光发射装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW099214587 申请日期 2010.07.30
申请人 华信光电科技股份有限公司 发明人 邱垂侥
分类号 G11B7/12 主分类号 G11B7/12
代理机构 代理人 何崇熙 桃园县桃园市大有路489号12楼之2
主权项 一种光发射装置,系包括有:一本体,具有一基准面;一雷射二极体元件,设置于该本体,且令其雷射二极体晶粒垂直于该本体之基准面;以及一准直透镜,相对该雷射二极体元件之出光端而设置于该本体之基准面者。如申请专利范围第1项所述之光发射装置,其中,进一步相对该准直透镜之出光端设置一光束形成透镜于该本体之基准面。如申请专利范围第1或2项所述之光发射装置,其中,该雷射二极体元件于一绝缘基板之表面设置有第一表面铜箔、第二表面铜箔与第三表面铜箔,且于该第一表面铜箔设置于一光敏二极体散热片,该光敏二极体散热片供一雷射二极体晶粒设置,另于该第二表面铜箔设置一自动功率校准二极体晶粒,并将该雷射二极体晶粒、光敏二极体散热片、自动功率校准二极体晶粒、第一表面铜箔、第二表面铜箔与第三表面铜箔利用数导线构成电性连接。如申请专利范围第3项所述之光发射装置,其中,该雷射二极体晶粒以晶片直接封装之方式设置于该光敏二极体散热片。如申请专利范围第4项所述之光发射装置,其中,该绝缘基板之底面相对该第一表面铜箔、第二表面铜箔与第三表面铜箔分别设置有第一底面铜箔、第二底面铜箔与第三底面铜箔,并分别藉第一连接贯孔、第二连接贯孔与第三连接贯孔予以连接。如申请专利范围第5项所述之光发射装置,其中,该绝缘基板为低温共烧陶瓷基板或高温共烧陶瓷基板。如申请专利范围第6项所述之光发射装置,其中,该本体进一步设置一护罩。
地址 桃园县大溪镇仁和路2段349号5楼