发明名称 晶片封装载板及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW097127215 申请日期 2008.07.17
申请人 欣兴电子股份有限公司 发明人 黄瀚霈;范智朋
分类号 H01L23/492 主分类号 H01L23/492
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种晶片封装载板,包括:一第一线路层;一第二线路层;一核心层,配置于该第一线路层与该第二线路层之间,该核心层具有至少一第一贯孔;一第三线路层,配置于该第一线路层之上,且该第三线路层包括至少一晶片接垫;一第一绝缘层,配置于该第一线路层与该第三线路层之间;一第四线路层,配置于该第二线路层之下,且该第四线路层包括至少一焊球接垫;一第二绝缘层,配置于该第二线路层与该第四线路层之间;至少一电容元件,配置于该第一贯孔内,该电容元件包括:一第一柱状电极,覆盖该第一贯孔的孔壁,并连接于该第一线路层与该第二线路层之间;一筒状电容材料,配置于该第一柱状电极内,从该第一线路层延伸至该第二线路层,并具有一延伸方向与该第一贯孔相同的第一盲孔,其中该第一盲孔未贯穿该第二绝缘层与该第四线路层;以及一第二柱状电极,配置于该第一盲孔内,并连接该晶片接垫,其中该筒状电容材料位于该第一柱状电极与该第二柱状电极之间。如申请专利范围第1项所述之晶片封装载板,其中该第二柱状电极为具有一底部以及一中空部的空心导电柱体,且该底部显露于该中空部内。如申请专利范围第2项所述之晶片封装载板,其中该电容元件更包括一填满该中空部的填充材料。如申请专利范围第3项所述之晶片封装载板,其中该填充材料为油墨。如申请专利范围第1项所述之晶片封装载板,其中该晶片接垫连接该第二柱状电极的一端。一种晶片封装载板的制造方法,包括:提供一基板,其包括一第一导电层、一第二导电层以及一配置于该第一导电层与该第二导电层之间的核心层;形成至少一从该第一导电层延伸至该第二导电层的第一贯孔;形成至少一第一柱状电极,其中该第一柱状电极覆盖该第一贯孔的孔壁,并连接于该第一导电层与该第二导电层之间;将一电容材料填满该第一贯孔,其中该第一柱状电极位于该电容材料与该第一贯孔的孔壁之间;形成一金属层于该第二导电层上,其中该金属层覆盖该电容材料与该第一柱状电极的一端;在形成该金属层后,图案化该第一导电层以形成一第一线路层;形成一第一绝缘层于该第一线路层上以及形成一第三导电层于该第一绝缘层上;形成至少一从该第三导电层延伸至该第二线路层的第一盲孔,其中该第一盲孔位于该第一贯孔内,且该第一盲孔未贯穿该金属层;形成一第二柱状电极于该第一盲孔内,其中该第二柱状电极连接该第三导电层,且该电容材料位于该第一柱状电极与该第二柱状电极之间;以及图案化该第二导电层与该第三导电层,以分别形成一第二线路层与一第三线路层,其中该第二线路层包括至少一连接该第二柱状电极的晶片接垫。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中形成该第一柱状电极的方法包括进行一通孔电镀制程。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中形成该第二柱状电极的方法包括进行一电镀制程。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,在形成该第二柱状电极于该第一盲孔内之前,更包括形成一阻镀层于该金属层上。如申请专利范围第9项所述之晶片封装载板的制造方法,其中该第二柱状电极为具有一底部以及一中空部的空心导电柱体,且该底部显露于该中空部内。如申请专利范围第10项所述之晶片封装载板的制造方法,在图案化该第三导电层以前,更包括将一填充材料填满该中空部。如申请专利范围第11项所述之晶片封装载板的制造方法,在将该填充材料填满该中空部之前,更包括移除该阻镀层。如申请专利范围第11项所述之晶片封装载板的制造方法,在将该填充材料填满该中空部之后,更包括移除该阻镀层。如申请专利范围第11项所述之晶片封装载板的制造方法,其中该填充材料为油墨。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中该第二柱状电极为一实体电柱体。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中该晶片接垫连接该第二柱状电极的一端。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中形成该第一绝缘层与该第三导电层的方法包括藉由一半固化胶片,将一铜箔压合于该第一线路层上。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,其中图案化该第二导电层与该第三导电层之前,更包括移除该金属层。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,在图案化该第二导电层与该第三导电层之后,更包括:形成一第二绝缘层于该第二线路层上;形成一第四导电层于该第二绝缘层上;以及图案化该第四导电层以形成一第四线路层,其中该第四线路层包括至少一焊球接垫。如申请专利范围第19项所述之晶片封装载板的制造方法,其中形成该第二绝缘层与该第四导电层的方法包括藉由一半固化胶片,将一铜箔压合于该第二线路层上。如申请专利范围第19项所述之晶片封装载板的制造方法,其中形成该第一绝缘层与该第二绝缘层的方法包括涂布一液态绝缘树脂分别覆盖于该第一线路层与该第二线路上,并先经预烘使其形成半固化凝态后,再将一铜箔压合于该第一绝缘层与该第二绝缘层上。如申请专利范围第6项所述之晶片封装载板的制造方法,在图案化该第二导电层与该第三导电层之后,更包括:提供一具有一第五线路层的一承载基板;提供一第三绝缘层,该第三绝缘层位于该承载基板与第二线路层之间;压合该承载基板至该第二线路层,其中该第二线路层与该第五线路层分别嵌入于该第三绝缘层的相对两表面。
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