发明名称 有机发光装置之制造方法及由该方法制造之有机发光装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW096103869 申请日期 2007.02.02
申请人 LG化学公司 发明人 李政炯;金正凡;咸允慧
分类号 H01L51/50 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种有机发光装置之制造方法,其依序包括:形成一第一电极,其系由金属所形成;一或多层有机材料层,其包括一发光层;以及一第二电极于一基板上,并包括步骤:于形成该有机材料层前,将一金属与一俱生氧化层反应,其中该金属系具有高于该第一电极之氧化速率,且该俱生氧化层系形成于该第一电极上。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,该第一电极为阳极,而该第二电极为阴极。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,该第一电极为阴极,而该第二电极为阳极。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,该有机发光装置为顶部发光型或双面发光型。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,该第一电极系选自由铝、钼、铬、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、锡、铅及其合金所组之群组之材料所形成。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,氧化速率高于该第一电极之该金属系选自由硷金属、硷土金属及其混合物所组之群组。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,与具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应而形成一层状物之步骤中,该层状物之厚度为1至10nm。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,与具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应而形成一层状物之步骤中,该层状物藉由一遮罩而仅形成于该第一电极之特定区域上。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,其中,该些有机材料层中,与具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应所形成之该层状物连接之一层,该层系一电子注入层或一电洞注入层。如申请专利范围第1项所述之有机发光装置之制造方法,更包括:以氧气电浆处理该层状物,且该层状物系由具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应所形成。一种有机发光装置,其包括依序叠置之一第一电极,其系由金属所形成;一或多层有机材料层,其包括一发光层;以及一第二电极,且更包括一层状物,系由具有氧化速率高于该第一电极之一金属与形成于该第一电极上之一俱生氧化层反应所形成,且该层状物系位于该第一电极与该有机材料层之间。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该第一电极为阳极,而该第二电极为阴极。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该第一电极为阴极,而第二电极为阳极。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该有机发光装置为顶部发光型或双面发光型。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该第一电极系选自由铝、钼、铬、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、锡、铅及其合金所组之群组之材料所形成。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,氧化速率高于该第一电极之该金属系选自由硷金属、硷土金属及其混合物所组之群组。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该层状物系由具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应所形成,且该层状物具有1至10nm之厚度。如申请专利范围第11项所述之有机发光装置,其中,该些有机材料层中,与具有氧化速率高于该第一电极之该金属反应所形成之该层状物连接之一层,该层系一电子注入层或一电洞注入层。
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