| 主权项 |
一种金氧半导体元件，包含有：一半导体基底，其具有一第一导电型式；一闸极结构，本质上平行于一第一方向而设置于该半导体基底上；一汲极区域，其具有一第二导电型式，设置于该半导体基底中；以及一源极区域，设置于该半导体基底中，且该汲极区域与该源极区域系位于该闸极结构之相对二侧，该源极区域包含有：至少一具有该第二导电型式之源极掺杂区，设置于该闸极结构之一侧；以及复数个具有该第一导电型式之源极接触区，且该等源极接触区与该源极掺杂区系沿着该第一方向而交替排列(alternately arranged along the first direction)。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中该源极区域包含有二个源极接触区，且该等源极接触区分别位于该源极掺杂区之相对两侧。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中该源极区域包含有复数个源极掺杂区，该等源极接触区与该等源极掺杂区系沿着该第一方向而交替排列。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中各该源极接触区系分别嵌入该源极掺杂区中。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中该金氧半导体元件系为一横向扩散金氧半导体(laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件。如申请专利范围第5项所述之金氧半导体元件，另包含有：一第一井区，其具有该第二导电型式，设置于该半导体基底中，包覆部分之该汲极区域；一隔离结构，设置于该第一井区之上半部，位于该汲极区域与该源极区域之间；以及一第二井区，其具有该第一导电型式，设置于该隔离结构相对于该汲极区域之另一侧的该半导体基底中，包覆部分之该源极区域。如申请专利范围第6项所述之金氧半导体元件，其中该隔离结构之下半部系为该第一井区所环绕。如申请专利范围第6项所述之金氧半导体元件，其中该闸极结构包含有：一闸极介电层，设置于该隔离结构与该源极区域之间的半导体基底之表面；以及一闸极电极，设置于该闸极介电层与部分该隔离结构之上。如申请专利范围第6项所述之金氧半导体元件，另包含有一具有该第一导电型式之梯度掺杂区，设置于该汲极区域下方之该第一井区之内。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中该第一导电型式为P型，而该第二导电型式为N型。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，其中该金氧半导体元件包含有复数个接触插塞与一内连线结构，且该等源极接触区与该源极掺杂区系透过该等接触插塞与该内连线结构而电连接。如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件，另包含有一通道区域，设置于该闸极结构下方之该半导体基底内，并位于该汲极区域与该源极区域之间。如申请专利范围第12项所述之金氧半导体元件，其中该通道区域具有一通道宽度，且该第一方向为该通道宽度之延伸方向。一种金氧半导体元件，包含有：一半导体基底，其具有一第一导电型式；一闸极结构，本质上平行于一第一方向而设置于该半导体基底上；一汲极区域，其具有一第二导电型式，设置于该半导体基底中；以及一源极区域，设置于该半导体基底中，且该汲极区域与该源极区域系位于该闸极结构之相对二侧，该源极区域包含有：至少一具有该第二导电型式之源极掺杂区，系为一梳状结构(comb－like structure)，设置于该闸极结构之一侧；以及至少一具有该第一导电型式之源极接触区，系为一梳状结构，且该源极接触区与该源极掺杂区彼此嵌合。如申请专利范围第14项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区之该梳状结构与该源极掺杂区之该梳状结构分别具有复数个梳齿部分(comb tooth parts)。如申请专利范围第15项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区之该等梳齿部分与该源极掺杂区之该等梳齿部分系沿着该第一方向而交替排列。如申请专利范围第14项所述之金氧半导体元件，另包含有一通道区域，设置于该闸极结构下方之该半导体基底内，并位于该汲极区域与该源极区域之间。如申请专利范围第17项所述之金氧半导体元件，其中该通道区域具有一通道宽度，且该第一方向为该通道宽度之延伸方向。一种金氧半导体元件，包含有：一半导体基底，其具有一第一导电型式；一闸极结构，设置于该半导体基底上；一汲极区域，设置于该半导体基底中，其具有一第二导电型式；一源极区域，设置于该半导体基底中，包含有至少一具有该第二导电型式之源极掺杂区与至少一具有该第一导电型式之源极接触区，该汲极区域与该源极区域系位于该闸极结构之相对二侧；以及至少一毗连接触插塞(butting contact plug)，本质上(substantially)平行于该闸极结构而设置于该半导体基底上，且同时接触该源极接触区与该源极掺杂区。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区与该源极掺杂区位于该毗连接触插塞下方，且该源极接触区与该源极掺杂区系沿着该毗连接触插塞而交替排列。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该源极区域包含有二个源极接触区，该等源极接触区与该源极掺杂区系沿着该毗连接触插塞而排列成行，且该等源极接触区分别位于该源极掺杂区之相对两侧。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该源极区域包含有复数个源极接触区，该等源极接触区与该源极掺杂区系沿着该毗连接触插塞而交替排列，且该源极掺杂区位于各该源极接触区之间。如申请专利范围第22项所述之金氧半导体元件，其中各该源极接触区系分别嵌入该源极掺杂区中。如申请专利范围第22项所述之金氧半导体元件，其中该金氧半导体元件包含有复数个毗连接触插塞，且各该毗连接触插塞本质上平行于该闸极结构而设置于该半导体基底上。如申请专利范围第24项所述之金氧半导体元件，其中该等毗连接触插塞系沿着该闸极结构而交替排列，且各该毗连接触插塞同时接触该源极接触区与至少一该源极掺杂区。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区与该源极掺杂区分别为一梳状结构，且彼此嵌合。如申请专利范围第26项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区之该梳状结构与该源极掺杂区之该梳状结构分别具有复数个梳齿部分。如申请专利范围第27项所述之金氧半导体元件，其中该源极接触区之该等梳齿部分与该源极掺杂区之该等梳齿部分系沿着该毗连接触插塞而交替排列。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该金氧半导体元件系为一横向扩散金氧半导体元件。如申请专利范围第29项所述之金氧半导体元件，另包含有：一第一井区，其具有该第二导电型式，设置于该半导体基底中，包覆部分之该汲极区域；一隔离结构，设置于该第一井区之上半部，位于该汲极区域与该源极区域之间；以及一第二井区，其具有该第一导电型式，设置于该隔离结构相对于该汲极区域之另一侧的该半导体基底中，包覆部分之该源极区域。如申请专利范围第19项所述之金氧半导体元件，其中该第一导电型式为P型，而该第二导电型式为N型。 |
