| 主权项 |
一种高度防止逆向漏电流之萧特基二极体，其包含：一基板；一限流层，系以间隔方式形成在该基板表面，相邻限流层之间形成间隙；一磊晶半导体层，系填满各限流层之间的间隙，并延伸覆盖部分限流层，该磊晶半导体层以间隔方式形成复数沟槽，各沟槽向下延伸至未被磊晶半导体层覆盖之限流层顶部；复数布植区，系形成于该磊晶半导体层中，且与该磊晶半导体层具有相异导电性质而产生PN接面，各布植区系分布在该限流层之间隙位置；一介电层，系覆盖于该磊晶半导体层的表面；一金属层，系延伸覆盖于该介电层表面且填于该些沟槽内，位于沟槽内部之该金属层与磊晶半导体层侧壁之间形成萧特基接触。如申请专利范围第1项所述高度防止逆向漏电流之萧特基二极体，该基板为一N型半导体基板，该磊晶半导体层为一N型磊晶半导体层，该些布植区为P型掺杂。如申请专利范围第2项所述高度防止逆向漏电流之萧特基二极体，该限流层为氧化物层。如申请专利范围第2项所述高度防止逆向漏电流之萧特基二极体，该限流层为P型半导体层。如申请专利范围第1至4项任一项所述高度防止逆向漏电流之萧特基二极体，该介电层为氧化层。 |
