| 主权项 |
一种液晶装置，包括：(a)一前电极层；(b)一后电极层，其包含一光电晶体、一第二电晶体，以及复数电阻，含有复数选择电极和复数资料电极，使该等选择电极之一与该等资料电极之一组合，选择性改变接近该后电极层一部份之电位；(c)一液晶材料，位于该前电极层和该后电极层之间，该液晶材料有部份可藉改变该后电极层和该前电极层间之电位而选择性变化，以改变入射在该液晶材料上的光极化；(d)该光电晶体，暴露于周围光，包括：(i)第一接端；(ii)闸极接端；和(iii)第三接端；(e)该第二电晶体，实质上被抑制接收周围光，包括：(i)第一接端；(ii)闸极接端；和(iii)第三接端；(f)该光电晶体之该第一接端，其与基于第一电位的第一导电性电极电气相接；(g)该光电晶体之该闸极接端，其与基于第二电位的第二导电性电极电气相接；(h)该光电晶体之该第三接端，其与该第二电晶体的该第一接端电气相接，并维持电位；(i)该第二电晶体之该闸极接端，其与该选择电极之一电气连接；(j)一处理器，与该第二电晶体之该第三接端电气相接，且经组态以确定入射于该光电晶体之一光强度是否低于该周围光之强度者，并改变该第二电位以回应检测到的周围光。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该光电晶体和该第二电晶体至少其一，系薄膜电晶体者。如申请专利范围第2项之液晶装置，其中该光电晶体和该第二电晶体系薄膜电晶体者。如申请专利范围第3项之液晶装置，其中该光电晶体和该第二电晶体之半导体材料，系非晶矽者。如申请专利范围第4项之液晶装置，其中该光电晶体之该第三接端，系以电容方式耦合于该第二导电性电极者。如申请专利范围第5项之液晶装置，其中该第二导电性电极之电压电位，低于该第二电晶体之该第三接端者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一电位超过该第二电位，且其幅度接近该光电晶体之一负临限值者。如申请专利范围第7项之液晶装置，其中该光电晶体之该负临限值，包括相当于该光电晶体最小漏电流之电压者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一电位超过该第二电位至少1伏特者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一电位超过该第二电位至少1伏特，但不超过10伏特者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一电位超过该第二电位至少1伏特，但不超过8伏特者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一电位和该第二电位之一，可因应碰到该液晶装置的周围光强度而异者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第一导电性电极系该选择电极之一者。如申请专利范围第1项之液晶装置，其中该第二电位和该第一电位相差，低于0伏特者。如申请专利范围第1项之液晶装置，又包括过滤器，抑制具有复数波长的光透射至该光电晶体，该过滤器不抑制具有波长在可见光谱的蓝色部份内之光透射者。一种液晶显示器之光敏性结构，包括：(a)一光电晶体，其暴露于周围光，包括：(i)第一接端，其偏于第一电位；(ii)闸极接端，其偏于第二电位；和(iii)第三接端；(b)一第二电晶体，其被实质上抑制接收周围光，包括：(i)第一接端；(ii)闸极接端；和(iii)第三接端，其与该光电晶体之该第三接端电气相接，并以电容方式接至该光电晶体之该闸极接端；(c)一检测器，其用以检测碰到该液晶显示器之周围光强度；以及(d)一处理器，其因应执行该检测器所检测该周围光强度，与强度限制相关之指令，而改变该第二电位者。 |
