| 主权项 |
一种厚膜导电组合物，其包含：a)导电银粉；b)含锰添加剂，以及选自由Zn、ZnO、在烧制时可产生ZnO之化合物、及其混合所组成之群之添加剂；c)玻璃粉，其中该玻璃粉具有在300℃至600℃范围内之软化点，且包含以总玻璃粉组合物重量百分比计之0.1-8重量百分比SiO2；且所有a)至c)分散于有机介质中。一种厚膜导电组合物，其包含：a)导电银粉b)含锰添加剂，以及选自由Zn、ZnO、在烧制时可产生ZnO之化合物、及其混合所组成之群之添加剂；c)无铅玻璃粉，其中该玻璃粉具有在300℃至600℃范围内之软化点，且包含以总玻璃粉组合物重量百分比计之0.1-8重量百分比SiO2；且所有a)至c)分散于有机介质中。如请求项1或2之组合物，其进一步包含一额外金属/金属氧化物添加剂，其系选自(a)一金属，其中该金属系选自Ti、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu及Cr；(b)一金属氧化物MOx，其中M系选自Ti、Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu及Cr；(c)任何在烧制时可产生(b)之该等金属氧化物之化合物；及(d)其混合物。如请求项1或2之组合物，其中该含锰添加剂为MnO2。如请求项1或2之组合物，其中该含锰添加剂为锰之有机金属化合物。如请求项1或2之组合物，其中该含锰添加剂为一在烧制条件期间可产MnO2之化合物。如请求项1或2之组合物，其中该含锰添加剂之粒径系在7奈米至小于100奈米之范围内且其中该含锰添加剂系粉末形式。如请求项1或2之组合物，其中该玻璃粉为一无铅玻璃粉，其以总玻璃粉组合物之重量百分比计包含：SiO20.1-8、Al2O30-4、B2O38-25、CaO 0-1、ZnO 0-42、Na2O 0-4、Li2O 0-3.5、Bi2O328-85、Ag2O 0-3、CeO20-4.5、SnO20-3.5、BiF30-15。一种基板，其包含如请求项1或2之组合物，其中该组合物已经处理以移除该有机介质且烧结该玻璃粉及银粉。一种电极，其形成自如请求项1或2之组合物，其中该组合物已经处理以移除该有机介质且烧结该玻璃粉及银粉。一种用一结构元件制造一半导体装置之方法，此结构元件由一具有一p-n接合点之半导体及一形成于该半导体之一主要表面上之绝缘膜组成，此方法包含以下步骤：(a)将如请求项1或2之厚膜导电组合物施加于该绝缘膜上；及(b)烧制该半导体、绝缘膜及厚膜组合物以形成一电极。如请求项11之方法，其中该绝缘膜系选自包含下列物质之群：氮化矽膜、氧化钛膜、SiNx：H膜、氧化矽膜及氧化矽/氧化钛膜。一种半导体装置，其形成自如请求项1之组合物，其中该组合物已经处理以移除该有机介质且烧结该玻璃粉及银粉。 |
