| 主权项 |
一种半导体设备，用以处理一晶圆，包括：一平台，支撑该晶圆；一流体供应单元，提供一第一流体，其中，该流体供应单元包括一流体供应管路以及一枢转元件，该流体供应管路连接该枢转元件，并可以于一第一位置以及一第二位置之间枢转；以及一清洁单元；其中，当该流体供应管路位于该第一位置时，该流体供应管路朝该晶圆提供该第一流体，当该流体供应管路位于该第二位置时，该流体供应管路位于该清洁单元之中，该清洁单元清洁该流体供应管路的表面。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，一进气口以及一排气口，该进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该清洁单元更包括一负压管路，连接该排气口。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该腔体包括一入口，该流体供应管路通过该入口而于该第一位置以及该第二位置之间移动。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该排气口设于该腔体的上部。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口，该腔体中的污染物系经过该排液口以及该排液管排出于腔体。如申请专利范围第6项所述之半导体设备，其中，该排液口设于该腔体的底部。如申请专利范围第6项所述之半导体设备，其中，该排液口为长条形。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该腔体包括一防静电材料。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该第一流体为蚀刻剂。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该第一流体为去离子水。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该清洁单元提供乾燥空气。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该半导体设备清洁该晶圆。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该半导体设备在该晶圆上涂布一光阻层。如申请专利范围第16项所述之半导体设备，其中，该第一流体为光阻。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，当该晶圆被处理时，该平台旋转该晶圆。如申请专利范围第2项所述之半导体设备，其中，该清洁单元提供乾燥空气，该乾燥空气从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送以从该流体供应单元的表面移除污染物，且该乾燥空气经过该排气口离开该腔体。如申请专利范围第1项所述之半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，复数个进气口以及一排气口，该等进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中。如申请专利范围第18项所述之半导体设备，其中，该等进气口以矩阵型式排列于该腔体的底部。 |
