| 主权项 |
一种具备电性绝缘底层之金氧半电晶体之制法，至少包含有以下步骤：a)以浅沟渠隔离技术使一基底形成若干沟渠区与井区；b)闸极堆叠，依序由下而上于该井区上形成一闸极氧化层、一闸极电极与一硬罩幕；c)沉积与回蚀刻，使该闸极氧化层、闸极电极与硬罩幕外侧壁形成一间隙壁；d)对该井区进行斜角度方式高浓度之绝缘离子植入，其中绝缘离子系氧离子；及e)进行一回火制程，使该闸极电极底侧形成一电性绝缘底层。如申请专利范围第1项所述具备电性绝缘底层之金氧半电晶体之制法，其中e)步骤中，该绝缘层系二氧化矽。一种具备电性绝缘底层之金氧半电晶体之制法，至少包含有以下步骤：a)以浅沟渠隔离技术使一基底形成若干沟渠区与井区；b)闸极堆叠，依序由下而上于该井区上形成一闸极氧化层、一闸极电极与一硬罩幕；c)沉积与回蚀刻，使该闸极氧化层、闸极电极与硬罩幕外侧壁形成一间隙壁；d)对该井区进行斜角度方式高浓度之绝缘离子植入，其中绝缘离子系氮离子；及e)进行一回火制程，使该闸极电极底侧形成一电性绝缘底层。如申请专利范围第3项所述具备电性绝缘底层之金氧半电晶体之制法，其中e)步骤中，该绝缘底层系氮化矽。 |
