发明名称 电子装置的背光光源强弱调整结构
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW099208914 申请日期 2010.05.13
申请人 桦晶科技股份有限公司 发明人 侯福星;梁伟成;李文岑
分类号 G02F1/1333 主分类号 G02F1/1333
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼;王耀华 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 一种电子装置的背光光源强弱调整结构,安装于壳体内部与背光模组电性连结,具有:一壳体,其上具有一透光部;一光侦测电路板,系安装于壳体内部,并对应该透光部配置,并与该背光模组电性连结,该光侦测电路板上具有一光侦测电路;其中,该光侦测电路,包含:一控制单元,系光侦测电路控制核心;一驱动元件,系与控制单元电性连结,以接收控制单元所输出的驱动讯号;一发光单元,系具有一发光晶片及一光侦测件,该发光晶片与该驱动元件电性连结;一储存单元,系与该控制单元电性连结,用以储存调整亮度的设定参数值;其中,以控制单元控制发光晶片呈闪烁状态,该光侦测元件在发光晶片呈熄灭时,以读取由透光部进入的外部环境光源,将感测讯号传输至控制单元处理,再与储存单元的设定参数值比对,该控制单元根据设定参数值调整背光模组的光源亮度。如申请专利范围第1项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该壳体为透明状或不透明状之任一种。如申请专利范围第2项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该壳体上的透明部为光传导体或透光按键之任一种。如申请专利范围第1项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该发光晶片为发光二极体晶片。如申请专利范围第4项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该发光晶片与该光侦测元件由一封装体封装如申请专利范围第1项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该控制单元为微处理器(MCU)或CPU之任一种。如申请专利范围第1项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该储存元件为记忆体。一种电子装置的背光光源强弱调整结构,安装于壳体内部与背光模组电性连结,具有:一壳体,其上具有一透光部;一光侦测电路板,系安装于壳体内部,并对应该透光部配置,并与该背光模组电性连结,该光侦测电路板上具有一光侦测电路;其中,该光侦测电路,包含:一控制单元,系光侦测电路控制核心;一发光单元,系安装于该透光部中,系具有一发光晶片及一光侦测驱动元件,该发光晶片与光侦测驱动元件电性连结,该光侦测驱动元件与该控制单元电性连结;一储存单元,系与该控制单元电性连结,用以储存调整亮度的设定参数值;其中,以控制单元经光侦测驱动元件控制发光晶片呈闪烁状态,该光侦测驱动元件在发光晶片呈熄灭时,以读取外部环境光源,将感测讯号传输至控制单元处理,再与储存单元的设定参数值比对,该控制单元根据设定参数值调整背光模组的光源亮度。如申请专利范围第8项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该透明部为穿孔。如申请专利范围第8项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该发光晶片为发光二极体晶片。如申请专利范围第10项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该发光晶片及光侦测驱动元件由一封装体封装。如申请专利范围第11项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该光侦测驱动元件系由光侦测元件及驱动单元组成,该光侦测元件与该控制单元电性连结,该驱动元件与发光晶片及该控制单元电性连结。如申请专利范围第8项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该控制单元为微处理器(MCU)或CPU之任一种。如申请专利范围第8项所述之电子装置的背光光源强弱调整结构,其中,该储存元件为记忆体。
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