发明名称 低输入电压之高效能电压位准转换电路
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW096101831 申请日期 2007.01.17
申请人 奇景光电股份有限公司 发明人 郭茂雄
分类号 H03K19/0185 主分类号 H03K19/0185
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种电压位准转换电路,包含:一第一PMOS电晶体,具有一源极连接于一第一电源供应端点,一闸极连接于一第一输入端点,以及一汲极连接于一第一输出端点,其中该第一电源供应端点系供应一第一电压;一第二PMOS电晶体,具有一源极连接于该第一电源供应端点,一闸极连接于一第二输入端点,以及一汲极连接于一第二输出端点;一第三PMOS电晶体,具有一源极连接于该第一电源供应端点,一闸极连接于该第二输出端点,以及一汲极连接于一第三输出端点;一第一NMOS电晶体,具有一汲极以及一闸极连接于该第一输出端点;一第二NMOS电晶体,具有一汲极以及一闸极连接于该第二输出端点;一第三NMOS电晶体,具有一汲极连接于该第一NMOS电晶体之源极,一闸极连接于该第二输出端点,以及一源极连接于一第二电源供应端点,其中该第二电源供应端点系供应一第二电压,且该第二电压系小于该第一电压;一第四NMOS电晶体,具有一汲极连接于该第二NMOS电晶体之源极,一闸极连接于该第一输出端点,以及一源极连接于该第二电源供应端点;以及一第五NMOS电晶体,具有一源极连接于该第二电源供应端点,一闸极连接于该第二输出端点,以及一汲极连接于该第三输出端点,其中该第五NMOS电晶体之临界电压系小于该第二NMOS电晶体之临界电压。如申请专利范围第1项所述之电压位准转换电路,其中该第一输入端点系用以输入一第一输入信号,该第二输入端点系用以输入一第二输入信号,且该第二输入信号系为该第一输入信号之反向信号。如申请专利范围第1项所述之电压位准转换电路,其中该第一输出端点系用以输入一第一输出信号,该第二输出端点系用以输入一第二输出信号,且该第二输出信号系为该第一输出信号之反向信号。一种电压位准转换电路,包含:一第一NMOS电晶体,具有一源极连接于一第一电源供应端点,一闸极连接于一第一输入端点,以及一汲极连接于一第一输出端点,其中该第一电源供应端点系供应一第一电压;一第二NMOS电晶体,具有一源极连接于该第一电源供应端点,一闸极连接于一第二输入端点,以及一汲极连接于一第二输出端点;一第三NMOS电晶体,具有一源极连接于该第一电源供应端点,一闸极连接于该第二输出端点,以及一汲极连接于一第三输出端点;一第一PMOS电晶体,具有一汲极以及一闸极连接于该第一输出端点;一第二PMOS电晶体,具有一汲极以及一闸极连接于该第二输出端点;一第三PMOS电晶体,具有一汲极连接于该第一PMOS电晶体之源极,一闸极连接于该第二输出端点,以及一源极连接于一第二电源供应端点,其中该第二电源供应端点系供应一第二电压,且该第一电压系小于该第二电压;一第四PMOS电晶体,具有一汲极连接于该第二PMOS电晶体之源极,一闸极连接于该第一输出端点,以及一源极连接于该第二电源供应端点;以及一第五PMOS电晶体,具有一源极连接于该第二电源供应端点,一闸极连接于该第二输出端点,以及一汲极连接于该第三输出端点,其中该第五PMOS电晶体之临界电压系大于该第二PMOS电晶体之临界电压。如申请专利范围第4项所述之电压位准转换电路,其中该第一输入端点系用以输入一第一输入信号,该第二输入端点系用以输入一第二输入信号,且该第二输入信号系为该第一输入信号之反向信号。如申请专利范围第4项所述之电压位准转换电路,其中该第一输出端点系用以输入一第一输出信号,该第二输出端点系用以输入一第二输出信号,且该第二输出信号系为该第一输出信号之反向信号。
地址 台南市新市区紫楝路26号