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一种制造半导体影像感测器IC的方法，利用各有PN接面的光二极体或各有NPN接面PNP接面的光电晶体，设在矽半导体基板表面附近以在产生于各PN接面中的乏层中聚积由光电转换所产生的少数载子，藉以利用光电转换效应读出资料，该方法包括：以将半导体基板表面化学性去活化的化学药品涂布半导体基板表面的制程，以抑制光二极体或光电晶体之区域除外之半导体基板表面上的多余少数载子产生，涂布制程在半导体最后制程与测试晶圆电性的制程间。如申请专利范围第1项之制造半导体影像感测器IC的方法，其中涂以化学药品的半导体影像感测器IC表面是做为表面保护之钝化膜的氮化矽膜表面，或形成以切除之划线区的矽基板表面，蚀刻表面保护的钝化膜及做为绝缘膜的硼磷矽玻璃(BPSG)膜和磷矽玻璃(PSG)膜之一，使划线区矽基板表面暴露于大气。如申请专利范围第2项之制造半导体影像感测器IC的方法，其中将氮化矽膜表面和半导体影像感测器IC矽基板表面之一化学性去活化的化学药品包括有机矽化合物。如申请专利范围第3项之制造半导体影像感测器IC的方法，其中将半导体影像感测器IC表面化学性去活化的有机矽化合物包括六甲基二矽胺(HMDS)。如申请专利范围第1项之制造半导体影像感测器IC的方法，其中化学性去活化化学药品涂布制程包括HMDS涂布制程，利用以光阻涂布矽晶圆表面的光阻涂布机做为光阻涂布制程的前处理。如申请专利范围第5项之制造半导体影像感测器IC的方法，其中HMDS涂布制程包括：将氮气引入置于25±5℃温度之环境的HMDS化学容器，产生含HMDS的气体；将含HMDS的气体喷洒于制造半导体影像感测器IC且置于保持在100±5℃温度之加热体上的矽晶圆表面上30至60秒。 |
