| 主权项 |
一种用于在反应室中在基板上形成锆氧化物(ZrO2)层之方法，其包括：控制基板温度；及重复原子层沉积(ALD)法之单元循环，该单元循环包括：将锆(Zr)来源供应至反应室中，部份之Zr来源被吸附至基板表面中，冲洗残留在反应室内部之未吸附部份Zr来源，供应反应气体以与吸附部份Zr来源反应，及冲洗残留在反应室内部之反应气体之未反应部份与反应副产物，其中控制基板温度及反应气体浓度使得形成具四方形结构之ZrO2层。如申请专利范围第1项之方法，其中控制基板温度包括将基板温度控制在约250℃至约350℃之范围。如申请专利范围第1项之方法，其中供应反应气体包括供应氧化剂。如申请专利范围第1项之方法，其中供应反应气体包括供应臭氧(O3)电浆与氧(O2)电浆之一。如申请专利范围第1项之方法，其中供应反应气体包括供应浓度为至少约150克/立方米之臭氧(O3)气体。如申请专利范围第1项之方法，其中供应反应气体包括供应臭氧(O3)气体至少约1秒。 |
