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经营范围
发明名称
MANUFACTURING METHOD FOR NITRIDE-LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR101017758(B1)
申请公布日期
2011.02.28
申请号
KR20080091999
申请日期
2008.09.19
申请人
发明人
分类号
H01L21/318;H01L21/302
主分类号
H01L21/318
代理机构
代理人
主权项
地址
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