| 发明名称 |
PROCEDE DE PREPARATION D'UN SUBSTRAT EN ZNO EN PARTIE OU EN TOTALITE SEMI-ISOLANT OU DOPE DE TYPE P, SUBSTRATS OBTENUS, ET DISPOSITIFS ELECTRONIQUES, ELECTROOPTIQUES OU OPTOELECTRONIQUES LES COMPRENANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2935068(B1) |
申请公布日期 |
2011.02.25 |
| 申请号 |
FR20080055598 |
申请日期 |
2008.08.14 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
COUCHAUD MAURICE;CHEVALIER CELINE |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L33/00;H01L51/52;H01L51/56 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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