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经营范围
发明名称
Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号
DE602005025850(D1)
申请公布日期
2011.02.24
申请号
DE200560025850T
申请日期
2005.10.10
申请人
FUJITSU LTD.
发明人
MAKIYAMA, KOZO
分类号
H01L21/027;H01L21/335
主分类号
H01L21/027
代理机构
代理人
主权项
地址
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