| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 提供了能够增大导通/截止比的薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。在薄膜晶体管中，顺序或逆序在衬底(2)上层叠栅极电极(3)、栅极绝缘膜(4)、沟道层(5)以及源极/漏极层(7，8)，其特征在于，杂质包含在源极/漏极层(7，8)中，且杂质的浓度梯度为朝向沟道层(5)变为低浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101542742B | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200880000427.4 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 中山彻生;荒井俊明 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，其中：所述源极/漏极层由包含浓度在沟道层侧比另一侧低的杂质的硅层构成，在所述沟道层侧提供微晶硅层，而在所述另一侧提供非晶硅层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||