| 发明名称 | 介电蚀刻停止层的选择性形成 | ||
| 摘要 | 在图案化的金属特征之上选择性地形成介电蚀刻停止层的方法。实施例包括在栅电极之上包含这种蚀刻停止层的晶体管。根据本发明的某些实施例，金属选择性地形成在栅电极的表面上，随后其被转化为硅化物或锗化物。在其他实施例中，金属选择性地形成在栅电极的表面上，从而能够在栅电极之上催化生长硅或锗的台面结构。硅化物、锗化物、硅的台面结构或锗的台面结构的至少一部分随后被氧化、氮化或碳化，从而仅在栅电极之上形成介电蚀刻停止层。 | ||
| 申请公布号 | CN101981670A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200980110703.7 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·金;J·克劳斯 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种在图案化的金属特征之上选择性地形成介电蚀刻停止层的方法，包括：暴露金属特征的表面；在金属特征的暴露表面之上选择性地形成包括硅或锗的台面结构；以及将台面结构的至少一部分转化为电介质，以形成蚀刻停止层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||