| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底，位于所述衬底上的发光二极管管芯，其中，所述衬底朝向发光二极管管芯的一侧形成有一个以上反射凹坑，所述反射凹坑的侧壁包括一个以上的反射凸起。相应地，本发明还提供一种发光二极管的制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成锥形凹坑；在锥形凹坑的侧壁上形成反射凸起；在衬底上形成发光二极管管芯。所述反射凸用于产生漫反射，使投射到衬底的不同方向的光线均可反射至发光二极管的出光面，从而提高了发光二极管的出光效率；本发明发光二极管的制造方法，制造工艺较为简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101980391A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN201010285948.8 | 申请日期 | 2010.09.14 |
| 申请人 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发明人 | 张汝京 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的发光二极管管芯，其中，所述衬底朝向发光二极管管芯的一侧形成有一个以上反射凹坑，所述反射凹坑的侧壁包括一个以上的反射凸起。 | ||
| 地址 | 201203 上海浦东新区牛顿路200号5号楼101室 | ||