发明名称 半导体结构及其制作方法
摘要 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。半导体结构是在下层芯片的背面外围设置导热通孔以及散热层,以提高后续组装的散热片的接合强度,并且可通过导热通孔与散热层提供良好的热传导路径,以增进半导体结构的散热效率。一种制作此半导体结构的方法也被提出。
申请公布号 CN101980360A 申请公布日期 2011.02.23
申请号 CN201010282954.8 申请日期 2010.09.15
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王盟仁
分类号 H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种半导体结构,包括:第一芯片,具有一主动面以及相对于该主动面的一背面,且该第一芯片具有多个穿硅导孔;第一布线层,配置于该第一芯片的该主动面,该第一布线层包括一第一内连线,且该第一内连线连接该穿硅导孔的一端;第二布线层,配置于该第一芯片的该背面,该第二布线层包括一第二内连线以及一导热通孔,该第二内连线连接该穿硅导孔的另一端,而该导热通孔与该第二内连线电性绝缘并且接触该第一芯片的该背面;多个凸块接垫,配置于该第二布线层上,且该些凸块接垫分别连接至该第二内连线;以及散热层,配置于该第二布线层上,且位于该些凸块接垫以外的位置上,该散热层连接至该导热通孔。
地址 中国台湾高雄市