发明名称 |
一种LED芯片的制造方法、LED芯片及LED |
摘要 |
本发明适用于照明领域,尤其涉及一种LED芯片的制造方法、LED芯片及LED,所述LED芯片的制造方法包括以下步骤:于基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层;于所述第二半导体层上形成荧光粉层;移除部分荧光粉层及部分第二半导体层以形成至少一沟槽,所述沟槽暴露部分第二半导体层;移除部分荧光粉层、部分第二半导体层、部分发光层及部分第一半导体层以形成至少一缺角,所述缺角暴露部分第一半导体层;于所述缺角处形成第一电极,于所述沟槽处形成第二电极。本发明将LED的制造过程中涂覆荧光粉的工序提至LED芯片的制程中,工艺简单、可控,提高了LED的出光效率,节省了大量荧光粉,极大地降低了成本。 |
申请公布号 |
CN101980382A |
申请公布日期 |
2011.02.23 |
申请号 |
CN201010510058.2 |
申请日期 |
2010.10.15 |
申请人 |
深圳市瑞丰光电子股份有限公司 |
发明人 |
肖兆新 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
陈世洪 |
主权项 |
一种LED芯片的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:于基板上依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层;于所述第二半导体层上形成荧光粉层;移除部分荧光粉层及部分第二半导体层以形成至少一沟槽,所述沟槽暴露部分第二半导体层;移除部分荧光粉层、部分第二半导体层、部分发光层及部分第一半导体层以形成至少一缺角,所述缺角暴露部分第一半导体层;于所述缺角处形成第一电极,于所述沟槽处形成第二电极。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区松白公路百旺信工业园二区第6栋 |