| 发明名称 | 制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法。本发明提供一种制备接触部分的方法，其包括：在衬底(110)上形成第一信号线；形成绝缘层(140)，该绝缘层覆盖第一信号线并具有显露第一信号线的接触孔(182，185)；在第一信号线通过该接触孔显露的表面上形成接触层(700)；以及，形成经该接触层连接到第一信号线的第二信号线(82，190)。其中，第一信号线是由Al或Al合金制备，第二信号线是由氧化铟锌或氧化铟锌制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101552225B | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200910007980.7 | 申请日期 | 2005.02.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 徐宗铉;洪雯杓;金大玉 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种制备接触部分的方法，该方法包括：在衬底上形成第一信号线；形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一信号线并具有显露所述第一信号线的接触孔；通过将所述衬底浸泡在包括导电材料的化学转化溶液中，在所述第一信号线通过所述接触孔显露的表面上形成接触层；形成经所述接触层连接到所述第一信号线的第二信号线；其中，所述第一信号线是由Al或Al合金制备，所述第二信号线是由氧化铟锡或氧化铟锌制备。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||