形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构

摘要

描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。

主权项

一种方法，包括：在设置于基板上的第一ILD中形成接触开口，其中源/漏接触区域被暴露；在所述源/漏接触区域上形成硅化物；在所述硅化物上形成第一接触金属，以便填充所述接触开口；抛光所述第一接触金属，以便按设置于所述基板上的栅的顶表面来平坦化所述第一接触金属的顶表面；在所述栅的顶表面上沉积第二ILD；在所述第二ILD中形成第二接触开口；以及在所述第二接触开口中形成第二接触金属，其中所述第二接触金属与所述第一接触金属导电性地耦合。