| 发明名称 | 圆形硅膜二维风速风向传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提出的圆形硅膜二维风速风向传感器采用圆形的半导体硅薄膜作为传感面，采用圆形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)沿着圆形的半导体硅薄膜(104)边界一周均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。 | ||
| 申请公布号 | CN101980026A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN201010501597.X | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 李伟华 |
| 分类号 | G01P5/12(2006.01)I;G01P13/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 主分类号 | G01P5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种圆形硅膜二维风速风向传感器，其特征在于采用圆形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)沿着圆形的半导体硅薄膜(104)边界一周均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||